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    半導體的未來-納米級超薄硒化銦

    2019-11-18作者:瀏覽次數:277  來源:上海巨納科技有限公司
    半導體的未來-納米級超薄硒化銦石墨烯是由一層碳原子組成,與石墨烯不同,硒化銦是銦原子(In)和硒原子(Se)的二元化合物,厚度為四個原子,原子排列順序為Se-In-In-Se。
    納米級超薄硒化銦是一種具有獨特性能的類石墨烯新半導體材料,其厚度從一層(~0.83 nm)到幾十層不等。這種新半導體材料的電學和光學性能研究是在2010年物理學諾貝爾獎得主—英國曼徹斯特大學教授安德烈·海姆的實驗室進行的。近日烏克蘭和英國科學家在《Nature Nanotechnology》雜志上發表聯合文章《高電子遷移率、量子霍爾效應和納米級超薄硒化銦中的異常光學響應》,認為硒化銦的實際應用有可能導致納米電子學的革命。
     科學家們發現,這種材料的超薄納米層具有定性區別于其它類石墨烯二維(2D)晶體的獨特性能。因此,獲得的硒化銦樣品中,電子的遷移率(即速度)很高,尤其是與二硫化鉬和二硒化鉬相比,這個參數值很高。這一重要特性使得其在提高設備性能方面顯得尤為重要。在類似于石墨烯的低維材料里,硒化銦具有天然超薄的形態,使真正納米級的工藝成為可能。又和硅類似,硒化銦是的半導體。

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